近日，毅達資本完成對第三代半導體企業南京寬能半導體有限公司（簡稱“寬能半導體”或“公司”）的天使輪投資。本輪企業融資總額超2億元。

寬能半導體成立于2021年 11 月，公司核心團隊包括多名國際一流的碳化硅半導體工藝和制造專家，掌握碳化硅器件全工藝流程核心技術，并具備20年以上相關產品量產經驗。公司首條產線已經落地南京，正在建設中，預計建成后將成為國內最大的碳化硅半導體晶圓廠之一。

半導體材料作為產業發展的基礎經歷了數代更迭，目前超90%的半導體產品仍是以硅為襯底制成的，但受限于材料自身物理特性，硅基功率器件難以滿足新能源汽車及光伏逆變器等新興應用對器件高功率、高頻性能的需求。以碳化硅為代表的第三代半導體由于其優異的物理性能逐步受到市場關注，并成為制作大功率高頻器件的理想材料。

根據Yole預測，到2025年新能源汽車將是碳化硅功率器件最主要的應用。隨著新能源汽車銷量的快速提升，碳化硅功率器件在電機驅動、OBC、DC/DC等部件中的應用還將為其打開更加廣闊的市場。全球電動汽車領導者特斯拉已在Model3上使用碳化硅MOSFET作為其馬達逆變器解決方案，以取代傳統硅基IGBT。預計未來新能源汽車上碳化硅MOSFET的需求量將遠超于碳化硅二極管，無法生產高良率碳化硅MOSFET的器件廠將失去市場。而器件制造作為碳化硅產業鏈的重要環節，對產品的良率和性能起到決定性作用。

寬能半導體深耕功率半導體器件代工領域，為國內外半導體設計公司和IDM廠商提供高良率、高品質且具競爭力的產品。公司的自有標準工藝平臺可協助客戶迅速導入量產，促進工藝技術迭代。同時公司支持新產品開發，提供客制化工藝服務。公司同時具備溝槽型MOSFET工藝。由于目前全球可量產的碳化硅溝槽結構高度稀缺，僅有ROHM的雙溝槽結構、英飛凌的半包溝槽結構、日本住友的接地雙掩埋結構，器件結構的技術壁壘將為公司產品帶來成本和性能上的優勢。

毅達資本項目負責人姚博表示，碳化硅器件正處于爆發階段，目前碳化硅行業主要由國外巨頭壟斷，國產替代的需求強烈，未來市場空間巨大。寬能半導體的核心團隊均來自全球知名的碳化硅器件企業，擁有業界領先的芯片設計研發及工藝水平。期待企業借助本輪融資，快速建設成為世界一流的碳化硅器件代工企業，持續領跑國產碳化硅功率器件賽道，推動國家關鍵產業技術的突破和低碳能源變革。