鈮奧光電成立于2020年7月，核心團(tuán)隊(duì)成員包括多名海歸科研工作者和業(yè)界資深專家，團(tuán)隊(duì)在薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片領(lǐng)域擁有全球領(lǐng)先的研究成果和多年芯片制造運(yùn)營(yíng)的成熟經(jīng)驗(yàn)。鈮奧光電專注于從事薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片及器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造等，致力于成為高速調(diào)制器光電子芯片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)。

鈮酸鋰被譽(yù)為 “光學(xué)硅”，可以制備集成光子回路中的光波導(dǎo)、光開關(guān)、分/合束器、壓電調(diào)制器、熱電調(diào)制器與電光調(diào)制器等器件，其中鈮酸鋰調(diào)制器是光子集成回路和現(xiàn)代通信的核心器件，已成為當(dāng)前電光調(diào)制器市場(chǎng)的主流產(chǎn)品。但是受限于鈮酸鋰晶體材料尺度問題，傳統(tǒng)鈮酸鋰基電光調(diào)制器的帶寬、半波電壓、插入損耗等關(guān)鍵性能參數(shù)的提升逐漸遭遇瓶頸，且與CMOS工藝不兼容。相較于鈮酸鋰晶體（尺寸受限），以及其他光電子材料如磷化銦、硅光，薄膜鈮酸鋰可實(shí)現(xiàn)超快電光效應(yīng)和高集成度光波導(dǎo)，具有大帶寬、低功耗、低損耗、小尺寸等優(yōu)異特性，并可實(shí)現(xiàn)大尺寸晶圓規(guī)模制造，是非常理想的電光調(diào)制器材料。

鈮奧光電的核心團(tuán)隊(duì)前期在薄膜鈮酸鋰調(diào)制器研究領(lǐng)域逐一攻克了眾多技術(shù)難點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)重大技術(shù)突破，并取得了一系列全球突破性成果，如最高帶寬的硅與鈮酸鋰異質(zhì)集成調(diào)制器芯片（Nature Photonics，2019中國(guó)光學(xué)十大進(jìn)展）、世界首例鈮酸鋰薄膜IQ調(diào)制器芯片（Nature Communications，2020中國(guó)光學(xué)十大進(jìn)展）、世界首例鈮酸鋰薄膜偏振復(fù)用相干光調(diào)制器芯片（Optica，2021年聯(lián)合華為演示1.96Tb/s的單載波相干傳輸最高數(shù)據(jù)傳輸凈速率，2022年中國(guó)光學(xué)十大進(jìn)展）。2022年9月，鈮奧光電聯(lián)合貝爾實(shí)驗(yàn)室、III-V實(shí)驗(yàn)室、是德科技、中山大學(xué)等在歐洲光通信大會(huì)首次實(shí)現(xiàn)260G波特的DP-QPSK信號(hào)100公里傳輸距離，核心器件正是鈮奧光電研發(fā)的鈮酸鋰薄膜雙偏振相干調(diào)制器芯片（PDP ECOC 2022，目前最高速的波特率）。

鈮奧光電開發(fā)的薄膜鈮酸鋰調(diào)制器芯片目前已可實(shí)現(xiàn)超低驅(qū)動(dòng)電壓（Vπ<1V）和超大帶寬（最新記錄260Gbaud），功耗較硅光調(diào)制器等解決方案顯著降低，在800G及以上速率的模塊應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)，單波200G以上的傳輸能力使得Pluggable1.6T（單波200G）/3.2T（單波400G）光模塊成為可能。

截至目前，鈮奧光電的產(chǎn)品已涵蓋光通信、微波光子和光學(xué)傳感三大業(yè)務(wù)領(lǐng)域，并形成了數(shù)據(jù)中心、電信中長(zhǎng)距、相干等產(chǎn)品方向的解決方案，當(dāng)前均已進(jìn)入客戶送樣測(cè)試及小批量銷售階段。其中，數(shù)據(jù)中心芯片包括800G/1.6T系列，傳輸距離覆蓋500M/2KM/10KM；電信中長(zhǎng)距芯片及器件包括50G/100G/400G系列，傳輸距離覆蓋10KM/30KM/40KM；相干芯片包括64G/96G/128G Baud 系列，可深度定制。

本次融資將助力公司加速薄膜鈮酸鋰光電子芯片產(chǎn)線的建設(shè)和量產(chǎn)進(jìn)程，于2023年建成國(guó)內(nèi)首條規(guī)模量產(chǎn)的薄膜鈮酸鋰光電子芯片產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)國(guó)內(nèi)高速率光芯片的突破，為下一代信息與通信領(lǐng)域的高速光模塊、光傳感器件的廣泛應(yīng)用，打下堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。